[发明专利]伪静态随机存取存储器及操作控制方法

摘要

本发明涉及一种可操作于连续脉冲串模式中的伪SRAM(静态随机存取存储器)及控制其脉冲串模式操作的方法。依据根据本发明的可操作于连续脉冲串模式中的一种伪SRAM及控制其脉冲串模式操作的方法，基于接收一次的存取命令及外部地址信号而连续产生逐渐上升的脉冲串行地址信号及脉冲串列地址信号。因此，可在连续的脉冲串模式下执行数据的读取或写入操作。

主权项

1、一种伪静态随机存取存储器，包括：存储单元阵列，其包括多个动态随机存取存储单元；脉冲串模式控制器，其接收外部地址信号以响应外部时钟信号及外部控制信号，基于所述外部地址信号而连续产生脉冲串行地址信号及脉冲串列地址信号，且产生脉冲串操作控制信号及字线控制信号以响应所述外部控制信号、预充电控制信号及等待时间控制信号；读取及写入控制器，其产生驱动器控制信号以响应所述字线控制信号及所述预充电控制信号；行译码器，其译码所述脉冲串行地址信号；字线驱动器，其使能对应于由所述行译码器译码的结果的所述存储单元阵列的多个字线之一或去能所述存储单元阵列的所述多个字线以响应所述驱动器控制信号；及列译码器，其接收所述脉冲串列地址信号以响应所述脉冲串操作控制信号且使能对应于所述脉冲串列地址信号的所述存储单元阵列的位线。