[发明专利]制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 200610056757.8 | 申请日： | 2006-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1832220A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 徐旼徹;具在本 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，能提高有机半导体层的图案化精度并简化图案化工艺。该方法包括在基板上形成有机绝缘薄膜和在该有机绝缘薄膜中形成具有第一和第二凹入部分以及第三凹入部分的梯段，该第三凹入部分形成在第一和第二凹入部分上。该方法进一步包括在第一和第二凹入部分中形成源电极和漏电极和在第三凹入部分中形成有源层，有源层接触源电极和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：栅极绝缘薄膜；形成在所述栅极绝缘薄膜一侧上的栅电极；形成在所述栅极绝缘薄膜另一侧上的有机绝缘薄膜；和通过填充所述有机绝缘薄膜而形成的源电极、漏电极和有源层，该有机绝缘薄膜包括梯段，所述源电极、漏电极和有源层位于该梯段中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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