[发明专利]具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法无效
申请号: | 200610056824.6 | 申请日: | 2006-03-07 |
公开(公告)号: | CN1845266A | 公开(公告)日: | 2006-10-11 |
发明(设计)人: | 倪经;蔡建旺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01F10/32 | 分类号: | H01F10/32;H01F10/12;H01F10/26;H01F41/22 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高存秀 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法,该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺,制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层,或者在缓冲层设置反铁磁层再设置铁磁层和一保护层。该钉扎体系引入L10有序相反铁磁(Cr1-xMnx)0.5+δPt0.5-δ(0.3≤x≤0.6;|δ|<0.06)作为钉扎材料。该材料相对于已有的反铁磁材料(比如FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等)制成的铁磁/反铁磁体系,具有非常好的热稳定性,大的交换偏置场以及优越的抗腐蚀性,加之成分范围广,是另一种非常理想的反铁磁钉扎材料。其制备方法简单,适于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 具有 反铁磁 多层 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料,包括一基片和基片上设置一缓冲层,其特征在于:还包括一铁磁层,所述的铁磁层设置在缓冲层上;和一反铁磁层,该反铁磁层设置在铁磁层上;所述的反铁磁层为(Cr1-xMnx)0.5+δPt0.5-δ,其中0.3≤x≤0.6;|δ|<0.06。
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