[发明专利]双极性装置在审
| 申请号： | 200610056842.4 | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1838431A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极性装置，包括一射极形成在半导体基底中；一集极在半导体基底中与射极侧向的分隔；栅极终端形成在半导体基底上，用以定义射极与集极间的距离；以及外质基极形成在半导体基底上，与射极或集极具有预设距离，其中外质基极、射极、集极以及栅极终端均设置在主动区中，通过在半导体基底中的围绕的绝缘层结构来定义主动区。本发明所述双极性装置，具有改善过的效能、相容于互补金属氧化半导体技术、简洁的布局、步骤的简化、以及额外增加一终端，用以调整本身。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 装置 | ||
【主权项】：
1.一种双极性装置，其特征在于，通过一互补金属氧化半导体程序所制成，该双极性装置，包括：一射极，形成在一半导体基底中；一集极，形成在该半导体基底中，并与该射极侧向的分隔；一栅极终端，形成在该半导体基底之上，用以定义该射极与该集极间的一距离；以及一外质基极，形成在该半导体基底中，与该射极或该集极具有一预设距离，其中该外质基极、射极、集极以及栅极终端均设置在一主动区中，通过一在该半导体基底中的围绕的绝缘层结构定义该主动区。
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