[发明专利]蚀刻作业管理系统及方法及使用此方法所制作的电子装置无效
| 申请号： | 200610056843.9 | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1837997A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 徐彦溥;魏诚贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/02 | 分类号： | G05B19/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻作业管理系统及方法及使用此方法所制作的电子装置。一制程控制器用以取得已处理晶圆的线宽，从目标线宽减掉量测的线宽以取得第一关键尺寸误差，通过相应的第一与第二蚀刻持续时间决定调整后的目标线宽，决定相应于调整后目标线宽的第二关键尺寸误差，决定相应于第二关键尺寸误差的第三蚀刻持续时间，接着，从量测机台接收事件，以及驱动蚀刻机台于另一晶圆上执行蚀刻作业并且历经第三蚀刻持续时间。本发明可调整拥有相同半导体产品以及将传送至与已处理晶圆相同的反应室的晶圆的蚀刻持续时间，从而提高制程效率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 作业 管理 系统 方法 使用 制作 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻作业管理系统，其特征在于，该蚀刻作业管理系统包括：一量测机台；一蚀刻机台；以及一制程控制器连结于上述蚀刻机台与上述量测机台，透过上述量测机台的量测以取得一已处理晶圆的一线宽，从一目标线宽减掉上述量测的线宽以取得一第一关键尺寸误差，决定一第一蚀刻持续时间，决定一第二蚀刻持续时间，根据上述第一与第二蚀刻持续时间决定一调整后的目标线宽，决定相应于上述调整后目标线宽的一第二关键尺寸误差，决定相应于上述第二关键尺寸误差的一第三蚀刻持续时间，以及驱动上述蚀刻机台于另一晶圆上执行一蚀刻作业并且历经上述第三蚀刻持续时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610056843.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储装置系统的控制技术
- 下一篇：具有外部电极的冷阴极灯管及应用其的背光模块
