[发明专利]一种利用宽带取样示波器作为信号源的方法及其设备无效
申请号: | 200610056918.3 | 申请日: | 2006-03-07 |
公开(公告)号: | CN1819458A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 刘明亮;朱江淼;郁月华;王跃佟;赵科佳;缪京元 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H03K3/86 | 分类号: | H03K3/86 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100022*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及高速脉冲发生器领域。目前我国最快脉冲源转换时间为25ps。本方法步骤:选有双微波二极管平衡取样头电路结构的Agilent86100A宽带取样示波器(1)作脉冲信号发生器,装插件(3),设电压-300mV-50mV或+50mV-+300mV,选与示波器(1)延迟匹配的TDR信号Agilent86100B宽带取样示波器(2),装时域反射计插件(4),发出TDR信号作示波器(1)的外触发信号,电缆(5)示波器(1)的信号触发端与示波器(2)TDR信号发生端相连,电缆(6)与示波器(1)产生脉冲信号输入端相连;调节示波器(1)垂直灵敏度、水平灵敏度等,设示波器(2)偏置电压为0,调节延迟时间直到示波器(1)发出高速脉冲信号。其等效阶跃脉冲源上升时间为8ps,可实现对宽带取样示波器校准等。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 宽带 取样 示波器 作为 信号源 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
1、一种利用宽带取样示波器作为信号源的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、选择一台具有双微波二极管平衡取样头电路结构的Agilent86100A宽带取样示波器(1)作为脉冲信号发生器,该示波器上装有Agilent86117A宽带取样示波器插件(3),设置该示波器(1)的直流偏置电压在-300mV--50mV或+50mV-+300mV之间,此时平衡电路失衡,造成部分选通脉冲泄露,形成了脉冲信号的等效激励源,在宽带取样示波器(1)的输入端形成了脉冲信号;选择另一台能够发出与Agilent86100A宽带取样示波器(1)的延迟互相匹配的时域反射脉冲信号的Agilent86100B宽带取样示波器(2),该示波器(2)上装有Agilent54754A时域反射计插件(4),示波器(2)发出的时域反射脉冲信号作为Agilent86100A宽带取样示波器(1)的外触发信号,用电缆(5)将Agilent86100A宽带取样示波器(1)的信号触发端与Agilent86100B宽带取样示波器(2)的时域反射脉冲信号发生端相连,电缆(6)与Agilent86100A宽带取样示波器(1)产生高速脉冲信号的输入端相连;步骤2、调节Agilent86100A宽带取样示波器(1)的垂直灵敏度、水平灵敏度、延迟时间、采样点数,同时设置Agilent86100B宽带取样示波器(2)的偏置电压为0,调节延迟时间,直到在Agilent86100A宽带取样示波器(1)的输入端发出一个高速脉冲信号为止,该高速脉冲信号的过渡时间在几皮秒到几十皮秒之间;步骤3、通过调节两台示波器的设置,在Agilent86100A宽带取样示波器(1)的输入端产生一个脉冲信号k(n),该脉冲信号的幅度和极性通过调节Agilent86100A宽带取样示波器(1)的偏置电压而改变,并且该脉冲信号的过渡时间随着示波器带宽的增大而减小,有如下关系: c=B·tr,其中c为常数,随取样示波器的不同在0.35-0.45之间取值,B近似等于取样示波器带宽,tr为脉冲信号过渡时间,通过测试仪器采集到该脉冲信号响应波形y(n),则有: y(n)=k(n)*h(n),其中,y(n)为测试仪器上获得的脉冲响应波形,k(n)为脉冲信号本身,h(n)为测试仪器系统特性;再依次经下述离散傅里叶变换、反卷积处理后,得到脉冲信号的频率特性K(k):离散傅里叶变换:Y(k)=K(k)·H(k),反卷积: 其中,K(k)为k(n)的频域表达式,Y(k)为y(n)的频域表达式,H(k)为h(n)的频域表达式,对K(k)进行反傅里叶变换即得到脉冲信号的时域特性k(n)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610056918.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硫化镉薄膜的生产工艺及设备
- 下一篇:单膜双腔双口合成射流激励器