[发明专利]自发光面板及其制造方法无效
| 申请号： | 200610057063.6 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1841811A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 免田芳生 | 申请（专利权）人： | 日本东北先锋公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H05B33/12;H05B33/04;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 自发光面板及其制造方法。在可以通过没有形成密封空间的密封结构而实现面板的进一步薄形化的自发光面板中，通过阻挡层的多重结构化可靠地提高阻挡性能。本发明的自发光面板(1)形成在基板(10)上排列了单个或多个自发光元件的自发光元件部(2)，并具有密封自发光元件部(2)的密封结构(3)，密封结构(3)具有：覆盖自发光元件部(2)的上部和侧部的缓冲层(30)，形成在缓冲层(30)上的阻挡层(31)，覆盖阻挡层(31)并覆盖缓冲层(30)的端缘的缓冲层(32)，以及形成在缓冲层(32)上以覆盖阻挡层(31)和阻挡层(31)的端缘的阻挡层(33)。 | ||
| 搜索关键词： | 自发 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自发光面板，形成在基板上排列了单个或多个自发光元件的自发光元件部，并具有密封该自发光元件部的密封结构，其特征在于，前述密封结构至少具有：覆盖前述自发光元件部的上部和侧部的第1缓冲层，形成在该第1缓冲层上的第1阻挡层，覆盖该第1阻挡层并覆盖前述第1缓冲层的端缘的第2缓冲层，以及形成在该第2缓冲层上以覆盖前述第1阻挡层和该第1阻挡层的端缘的第2阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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