[发明专利]具有可移去阳极的用于大面积衬底的改进磁控管溅射系统无效
申请号: | 200610057071.0 | 申请日: | 2006-03-17 |
公开(公告)号: | CN1896299A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | 细川明广;海民和·H·勒;稻川真;约翰·怀特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明通常提供了一种用于在物理气相沉积(PVD)室中处理衬底表面的装置和方法,该物理气相沉积室具有增大的阳极表面面积以提高大面积衬底上的沉积均匀性。通常,本发明的某些方面可用于平板显示处理、半导体处理、太阳能电池处理或任何其他衬底处理。在一个方面,处理室包含一个或更多个阳极组件,这一个或更多个阳极组件用来增加阳极表面面积,并使阳极表面面积在处理室的处理区域中的分布更加均匀。在一个方面,阳极组件包含导电构件和导电构件支撑。在一个方面,处理室适合于允许导电构件从处理室中移出,而不用从处理室中移去任何主要的部件。 | ||
搜索关键词: | 具有 移去 阳极 用于 大面积 衬底 改进 磁控管 溅射 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底上沉积层的等离子体处理室组件,包括:具有处理区域的等离子体处理室;位于所述等离子体处理室上从而使其表面与所述处理区域相接触的靶;位于所述等离子体处理室内并具有衬底接收表面的衬底支撑,其中位于所述衬底接收表面上的衬底表面与所述处理区域相接触;以及位于所述靶和所述衬底支撑之间的处理区域内的多个阳极构件,其中所述多个阳极构件与阳极屏蔽形成电通信,所述阳极屏蔽与所述处理区域相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610057071.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据转换器中的泡沫错误抑制器
- 下一篇:通信终端
- 同类专利
- 专利分类