[发明专利]晶圆光刻掩模和其制造方法与其晶圆光刻方法无效
| 申请号： | 200610057084.8 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101038435A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡士成;林荣彬 | 申请（专利权）人： | 蔡士成 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 中国台湾彰*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多项目晶圆(MPW)制造的光刻掩模与其制造方法和其应用所述掩模的晶圆制造方法，所述掩模包含一遮光层和至少一个可透光区域，所述掩模用以选择MPW光罩上项目的图案曝光到晶圆表面光阻层。所述多项目晶圆制造的光刻制程方法主要是利用配置一可以选择MPW光罩曝光成像区域的掩模于一MPW光罩与一光刻光源或所述MPW光罩与晶圆之间的光线行进路线上，用以避免一些在所述MPW光罩上不希望制造的图案在晶圆上被制造出来，因而降低晶圆和光刻制程的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 圆光 刻掩模 制造 方法 与其 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆光刻掩模，搭配一光罩设于一光刻光源与一晶圆间的光线行进路线上，其包含：一遮光层，和至少一个可透光区域；其中所述可透光区域的位置和形状可让所述光罩上的图案转移到一晶圆表面的光阻层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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