[发明专利]内埋元件的基板制造方法有效
申请号: | 200610057442.5 | 申请日: | 2006-03-15 |
公开(公告)号: | CN101038885A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 洪清富;林素玉;薛彬佑 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H05K3/32;H05K1/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;徐金国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种内埋元件的基板制造方法。该基板制造方法包括:首先提供一个由多层半固化态绝缘层堆叠而成的核心层;然后,在核心层形成埋孔,并将至少具有一个电极的内埋元件放置于埋孔中;分别在核心层的上下两表面上形成金属层,再对核心层以及这两个金属层进行压合,以使绝缘层能够填入埋孔中,并将内埋元件的周围表面包覆住;最后,分别对核心层上下表面的金属层进行图案化,以使图案化的金属层在核心层的上表面以及下表面分别形成第一信号层以及第二信号层,并且电性导通内埋元件,使内埋元件的电极与第一信号层电性连接。 | ||
搜索关键词: | 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种内埋元件的基板制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:提供一核心层,该核心层系由多层绝缘层堆叠而成,其中所述绝缘层呈半固化态;在该核心层中形成一埋孔,并放置一内埋元件于该埋孔中,而该内埋元件具有至少一电极;在该核心层的两个表面上分别提供一金属层;压合该核心层与所述两个金属层,以使所述绝缘层填入在该埋孔中,并包覆在该内埋元件的周围表面;图案化所述两个金属层,以在该核心层的两个表面上分别形成一第一信号层以及一第二信号层;以及电性导通该内埋元件与该第一信号层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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