[发明专利]基板的制造方法有效
| 申请号： | 200610057443.X | 申请日： | 2006-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101038880A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王永辉;洪清富 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基板的制造方法。该基板制造方法包括：提供一个上下侧具有内层线路的芯板；在芯板处形成一容置空间；在容置空间中埋入一元件，并形成绝缘层以包覆元件、芯板及其上下侧的内层线路；在绝缘层处形成复数个孔洞，以裸露出元件的复数个电极；形成复数个通孔(Through Hole)，以贯穿绝缘层与芯板；在绝缘层表面和通孔的侧壁上形成导电薄膜；在导电薄膜上形成导电层；图案化导电层以形成外层线路；以及在外层线路上形成防焊层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供一芯板(Core)，该芯板的上下侧具有一内层线路；在该芯板处形成一容置空间(Receiving Cavity)；在该容置空间埋入一元件，并形成一绝缘层以包覆该元件、该芯板及其上下侧的所述内层线路；在该绝缘层处形成复数个孔洞，以裸露出该元件的复数个电极；形成复数个通孔(Through Hole)以贯穿该绝缘层与该芯板；在该绝缘层的表面和所述通孔的侧壁形成一导电薄膜；在该导电薄膜上形成一导电层；图案化该导电层，以形成一外层线路；及在该外层线路上形成一防焊层(Solder Mask)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610057443.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
