[发明专利]制造半导体器件的方法无效
申请号: | 200610057483.4 | 申请日: | 2006-03-15 |
公开(公告)号: | CN1838391A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 河田洋一;仓富文司 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在半导体器件的制造中,当把布线衬底布置在上模和下模之间时,使用一种模塑模具,具有位于布线衬底的主表面上方使得覆盖在布线衬底上安装的半导体芯片的树脂密封部件形成部分,以及从布线衬底的外侧跨过布线衬底的一边并与树脂密封部件形成部分连通的树脂流动路径。一种制造半导体器件的方法,包括通过树脂流动路径将树脂注入树脂密封部件形成部分中来形成树脂密封部件的步骤,该树脂密封部件密封在布线衬底上安装的半导体芯片。树脂流动路径具有位于布线衬底的外侧的第一部分以及与第一部分和树脂密封部件形成部分连通并位于布线衬底的主表面上方的第二部分。第二部分距布线衬底的主表面的高度低于第一部分距布线衬底的主表面的高度。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:制备布线衬底,在其主表面上方安装有半导体芯片;制备模塑模具,当把所述布线衬底布置在上模和下模之间时,所述模塑模具具有树脂密封部件形成部分和树脂流动路径,所述树脂密封部件形成部分位于所述布线衬底的所述主表面上方使得覆盖在所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片,以及所述树脂流动路径从所述布线衬底的外侧跨过所述布线衬底的一边,以与所述树脂密封部件形成部分连通;通过所述树脂流动路径,将树脂注入所述树脂部件形成部分中,形成树脂密封部件,所述树脂密封部件树脂密封布置在所述模塑模具的所述上模和所述下模之间的、在所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片;以及在所述布线衬底的厚度方向上,向树脂部件施加弯曲应力,由此在所述树脂部件上产生断裂,所述树脂部件由所述树脂流动路径中留下的树脂与所述树脂密封部件一体地形成,其中所述树脂流动路径具有第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述布线衬底的外侧,所述第二部分与所述第一部分和所述树脂密封部件形成部分连通并且位于所述布线衬底的所述主表面上方,以及其中所述第二部分距所述布线衬底的所述主表面的高度低于所述第一部分距所述布线衬底的所述主表面的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造