[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 200610057880.1 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101030603A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 涂志中 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅绝缘层、通道层、螺旋状源极以及螺旋状漏极。栅绝缘层覆盖栅极。通道层设置于栅极上方的栅绝缘层上。螺旋状源极设置于栅极上方的通道层上，螺旋状漏极设置于栅极上方的通道层上，且螺旋状源极与螺旋状漏极是以相互绕旋的状态而设置。通过螺旋状源极与螺旋状漏极的设计，能够提高通道W/L比，且能降低栅极－漏极寄生电容Cgd。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征是包括：栅极；栅绝缘层，覆盖该栅极；通道层，设置于该栅极上方的该栅绝缘层上；螺旋状源极，设置于该栅极上方的该通道层上；以及螺旋状漏极，设置于该栅极上方的该通道层上，其中该螺旋状源极与该螺旋状漏极是以相互绕旋的状态而设置。
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