[发明专利]半导体装置与形成栅极间隔物的方法有效
| 申请号： | 200610058104.3 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1838389A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 姜儒健;孙书辉;林立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体装置与形成栅极间隔物的方法。该方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间隔物材料层，以形成该些间隔物；形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上；部分移除该保护层，露出该衬层、该栅极结构与该些栅极间隔物的一顶部；施行一第一湿蚀刻制程，大体移除该衬层的露出部；移除该保护层；以及施行一第二湿蚀刻制程，大体移除该衬层的一底部与一顶部。本发明采用保护层保护衬层免于受到湿蚀刻制程的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 栅极 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成栅极间隔物的方法，其特征在于，该形成栅极间隔物的方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间隔物材料层，以形成该间隔物；形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上；部分移除该保护层，露出该衬层、该栅极结构与该栅极间隔物的一顶部；施行一第一湿蚀刻制程，移除该衬层的露出部；移除该保护层；以及施行一第二湿蚀刻制程，移除该衬层的一底部与一顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
