[发明专利]抗蚀剂图形形成方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610058208.4 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1825209A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 河村大辅;柴田刚;伊藤信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30;G03F7/38;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 抗蚀剂图形形成方法，包括以下的工序：在衬底上形成抗蚀剂膜；通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光，在外缘部分的抗蚀剂膜上形成潜像；清洗外缘部分被照射了光的抗蚀剂膜；对清洗后的抗蚀剂膜的所希望的曝光区域，在曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过投影光学系统照射所希望的图形的光；对刻胶膜的曝光区域进行显影。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图形 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂图形形成方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂膜；进行通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光，在上述外缘部分的上述抗蚀剂膜上形成潜像的第1曝光；清洗上述外缘部分被照射了光的上述抗蚀剂膜；进行对清洗后的上述抗蚀剂膜的所希望的曝光区域在上述曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过上述投影光学系统照射所希望的图形的光的第2曝光；对上述抗蚀剂膜的上述曝光区域进行显影。
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