[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 200610058210.1 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1825476A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 大冢宽治;宇佐美保 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;大冢宽治;宇佐美保;冲电气工业株式会社;三洋电机株式会社;夏普株式会社;索尼株式会社;日本电气株式会社;富士通株式会社;松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 存储器单元(MC)包括配置为相互成对的用于转移栅极的nMOS晶体管(11a、11b)，以及连接到所述nMOS晶体管(11a)的用于数据存储的一个电容器(12)。所述nMOS晶体管(11a)的栅极电极连接到字线WL，并且漏极连接到位线BL。所述nMOS晶体管(11b)的栅极电极连接到字线/WL，并且漏极和源极连接到地。所述电容器(12)连接在所述nMOS晶体管(11a)的源极和地之间。Y选择电路(13)连接在差分位线BL、/BL和差分数据线DL、/DL之间。所述Y选择电路(13)具有分别构成晶体管对的两对nMOS晶体管(14a、14b和15a、15b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其特征在于包括：存储器单元(MC)，具有连接到字线和位线的至少一对晶体管对，所述晶体管对在相同阱区域中形成以相互邻近，并以差分方式工作；以及读出放大器电路(16)，具有连接到所述位线的至少一对晶体管对，所述晶体管对在相同阱区域中形成以相互邻近，并以差分方式工作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;大冢宽治;宇佐美保;冲电气工业株式会社;三洋电机株式会社;夏普株式会社;索尼株式会社;日本电气株式会社;富士通株式会社;松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技;罗姆股份有限公司，未经株式会社东芝;大冢宽治;宇佐美保;冲电气工业株式会社;三洋电机株式会社;夏普株式会社;索尼株式会社;日本电气株式会社;富士通株式会社;松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技;罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610058210.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
