[发明专利]一种半导体元件与在其导电部间建立电性联系的方法有效
| 申请号： | 200610058366.X | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1858904A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 余振华;黄震麟;眭晓林;谢静华;潘兴强;李显铭;傅学弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种具内连导线的斜低陷部的半导体元件与在其导电部间建立电性联系的方法，该半导体元件，其具有在金属化过程中用来容纳金属的倾斜金属低陷部(Oblique Recess)。在一例示中，半导体元件包括形成于导电垫上的介电层，其中导电垫形成于基材之中。蚀刻导电垫，以使导电垫包括有倾斜低陷部，此倾斜低陷部为金属化制程中所沉积的金属的介面。另外，本发明亦揭露形成半导体元件的此些金属接触和内连线的相关方法，本发明的倾斜内连线的优点之一是可以在沿着导体间的倾斜介面中采用厚度相对较薄的阻障层。藉此，第二阻障层的厚度会小于现有习知技术的阻障层，因此可增进半导体元件的电性效能与可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 导电 建立 联系 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于其包括：一第一导电部；一介电层，形成于该第一导电部之上，该介电层是由具有实质小于3.4的介电系数的一介电材质所形成，该介电层与该第一导电部具有一开口定义于其中，藉以使在该第一导电部内的该开口定义出一低陷表面，其中该低陷表面相对于该介电层的一上表面呈现倾斜状态；以及一第二导电部，至少有部分地沉积于该开口中，并与该第一导电部相接触，藉以在该第一导电部与该第二导电部之间建立电性联系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610058366.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
