[发明专利]氧化铝绝缘层的制作方法有效
| 申请号： | 200610058374.4 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101030540A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈其伟;萧名男;王朝仁 | 申请（专利权）人： | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了采用溶胶－凝胶法制作铝醇盐的先驱物，以特定的涂布方法处理后，在常压与低温条件下，以紫外光或热处理使涂布的先驱物固化成膜，而制得绝缘电气性质良好的氧化铝绝缘层，或搭配准分子激光或紫外光曝光，完成氧化铝绝缘层的图案制作，有别于目前薄膜晶体管普遍采用的电浆辅助化学气相沉积法制作的氮化硅或二氧化硅无机绝缘层方法，更适合未来低成本大面积化与印刷连续式的平面显示器制作。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 绝缘 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铝绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤包括：提供具有一铝醇盐、一醇类溶剂、一螯合剂及水的混合原料；搅拌该混合原料，以形成一溶胶-凝胶氧化铝先驱物；将该溶胶-凝胶氧化铝先驱物涂布于一基材；及以紫外光曝光固化方式于该基材上形成有图案氧化铝膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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