[发明专利]自发光面板的制造方法无效
申请号: | 200610058392.2 | 申请日: | 2006-03-03 |
公开(公告)号: | CN1828977A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 尾越国三 | 申请(专利权)人: | 东北先锋公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H05B33/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题是防止自发光面板所具备的自发光元件中的下部电极与上部电极短路。自发光面板(100)在基板(101)与密封基材(103)之间密封有自发光元件(102),该自发光元件(102)在下部电极(106)与上部电极(107)之间设置了含发光层的成膜层(108),在这样的自发光面板(100)的制造方法中,在下部电极(106)的密封基材(103)侧形成成膜层(108)的成膜层形成工序中,进行包埋处理下部电极(106)中的凸部的凸部包埋处理工序和包埋处理下部电极(106)中的凹部的凹部包埋处理工序,之后,在成膜层(108)的密封基材(103)侧上形成上部电极(107)。由此可以防止下部电极(106)与上部电极(107)的短路。 | ||
搜索关键词: | 自发 面板 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种自发光面板的制造方法,其是一种在基板上设有自发光元件的自发光面板的制造方法,所述自发光元件在下部电极与上部电极之间设置有含发光层的成膜层,其特征在于,含有如下工序:下部电极形成工序,在所述基板上形成所述下部电极;成膜层形成工序,在通过所述下部电极形成工序形成的下部电极的上部形成成膜层;凸部包埋处理工序,在所述成膜层形成工序中包埋处理因所述下部电极形成工序形成的下部电极中的凸部;凹部包埋处理工序,在所述成膜层形成工序中包埋处理因所述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部;上部电极形成工序,在通过所述成膜层形成工序形成的成膜层的上部形成上部电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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