[发明专利]采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法

摘要

一种采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层、多量子阱有源区和氮化镓P型接触层；刻蚀露出氮化镓N型接触层；制作N接触电极；制作高反射P接触电极；在芯片表面沉积介质膜；在器件的整个表面蒸镀高反射率金属层；将衬底减薄；在衬底表面制作微透镜阵列；解理，形成单个芯片；在该支撑体上沉积介质膜，并制作N电极、P电极引线；在电极引线上制作压焊点；采用倒装焊技术将解理好的芯片与制作完电极、压焊点后的支撑体键合，完成发光二极管的制作。

主权项

1.一种采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用金属化学有机气相沉积的方法在衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层、多量子阱有源区和氮化镓P型接触层；2)采用感应耦合等离子体技术或电子回旋共振技术或反应离子刻蚀技术或干法刻蚀技术刻蚀掉部分多量子阱有源区和氮化镓P型接触层，露出氮化镓N型接触层，形成台面；3)在露出的氮化镓N型接触层上采用热蒸发或电子束蒸发技术制作N接触电极；4)在氮化镓P型接触层上采用热蒸发或电子束蒸发技术制作高反射P接触电极；5)采用等离子增强化学气相沉积系统在芯片表面沉积介质膜，进行表面钝化及器件保护；6)将P接触电极与N接触电极上的部分区域的介质膜去除，并在器件的整个表面蒸镀高反射率金属层；7)将衬底减薄，并进行表面抛光；8)采用湿法或干法刻蚀技术在衬底表面制作微透镜阵列；9)将制作完成的器件解理，形成单个芯片；10)选用高热导率材料作为发光二极管芯片支撑体，并在该支撑体上沉积介质膜，将支撑体上一侧的介质膜腐蚀掉，并在该区域制作N电极引线，在支撑体上的另一侧的介质膜上制作P电极引线；11)采用电镀、植球技术在支撑体上的N电极引线和P电极引线上制作压焊点；12)采用倒装焊技术将解理好的芯片与制作完电极、压焊点后的支撑体键合，完成发光二极管的制作。