[发明专利]半导体装置及其制造方法、半导体装置结构有效
| 申请号： | 200610058459.2 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1866520A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 田丽钧;张弥彰;林晃生;韩郁琪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法、半导体装置结构，所述半导体装置包括具有功能图案的多个层，该半导体装置是至少部分由该功能图案构成。该多个层中至少一层进一步包含非功能图案，其中该非功能图案是于该至少一层的功能图案之邻，以形成该至少一层的一组合图案，使得该组合图案的特征密度更平均。本发明所述半导体装置及其制造方法、半导体装置结构，其非功能图案可平衡功能装置，提供各装置层一个相对来说更一致的元件配置，且进一步增进了特征尺寸的一致性。而且，由于特征可靠性和一致性的改善，也可以使得蚀刻偏差得以减少，进而可以增进装置的整体良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：具有功能图案的多个层，该半导体装置是至少部分由该功能图案构成；以及该多个层中至少一层进一步包含非功能图案，其中该非功能图案是于该至少一层的功能图案之邻，以形成该至少一层的一组合图案，使得该组合图案的特征密度更平均。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610058459.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
