[发明专利]半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光拾取装置无效

专利信息
申请号: 200610058488.9 申请日: 2006-03-28
公开(公告)号: CN1841869A 公开(公告)日: 2006-10-04
发明(设计)人: 畑雅幸;别所靖之;野村康彦;庄野昌幸;永冨谦司;土屋洋一 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/10;H01S5/22;H01S5/00;G11B7/125
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳;邸万杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件,蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔,与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小,从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光,通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统,入射到光盘上之后,都导向光检测器。
搜索关键词: 半导体 激光 装置 制造 方法 拾取
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,包括:第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件,所述第一半导体激光元件在第一基板上具有第一半导体层,该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点,所述第二半导体激光元件具有第二半导体层,该第二半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出与所述第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点,所述第三半导体激光元件具有第三半导体层,该第三半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出所述第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的第三发光点,在所述第一半导体激光元件上层叠所述第二半导体激光元件和所述第三半导体激光元件,使得所述第二半导体层及所述第三半导体层与所述第一半导体层相对向,在与所述第一方向正交的第一面内,所述第一发光点和所述第三发光点之间的距离,比所述第一发光点和所述第二发光点之间的距离小。
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