[发明专利]积层式被动元件的绝缘结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610058640.3 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101030523A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 曾明灿;陈勇吉 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 彭焱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种积层式被动元件的绝缘结构及其制作方法，是在积层式被动元件的表面上制作一绝缘保护膜，经温度处理后，外电极下方的绝缘保护膜将转变成半导体/导体，而其它区域的绝缘保护膜仍在本体表面呈现绝缘体状态，这样，不但制程简易，同时还能保护被动元件不受后面制程的侵蚀，不需额外材料与设备，此外，加工速度与一般沾涂外电极的加工速度相同，可快速大量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 积层式 被动 元件 绝缘 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种积层式被动元件的绝缘结构，是针对表面粘着技术的被动元件，其特征在于包括：一被动元件的本体(110)；多个第一外电极(120a)，其设置于所述本体(110)表面；一绝缘保护膜(130)，其包裹所述本体表面；多个第二外电极(120b)，所述第二外电极(120b)隔着所述绝缘保护膜(130)位于所述第一外电极(120a)上方；其中，经一质变温度使所述第二外电极(120b)下方的绝缘保护膜(130)的性质转成半导体/导体，使所述第二外电极(120b)与所述第一外电极(120a)之间电连接，其余区域的绝缘保护膜(130)仍为绝缘体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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