[发明专利]多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610058659.8 | 申请日： | 2006-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101034185A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;黄北举;顾明;刘海军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 金属 氧化物 脊形波导 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：多层金属和多层金属间氧化层；多层金属作为覆盖层，而多层金属间氧化层作为脊形波导芯层；由于发光二级管和探测器二极管均可以通过硅衬底上的有源区和阱形成，因此该结构脊形光波导可与光源和探测器集成；其特征在于，其结构包括：一硅衬底；一氧化隔离层，该氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃，该PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属，该第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层，该第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属，该第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层，该第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属，该第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层，该第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层，该第四层金属位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。
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