[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610058671.9 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1855393A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 崔大撤;崔炳德;任忠烈 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;常桂珍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法，其中，简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括：在基底上形成至少一个缓冲层；在缓冲层上形成第一半导体层，通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层；将第二半导体层图案化，形成源区和漏区；在源区和漏区上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基底上形成至少一个缓冲层；形成半导体层，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，其中，在所述缓冲层上形成所述第一半导体层，通过在所述第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成所述第二半导体层；将所述第二半导体层图案化，来形成源区和漏区；在所述源区和漏区上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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