[发明专利]用于转换具低电流的磁阻式随机存取存储器的磁矩的方法有效
| 申请号： | 200610058803.8 | 申请日： | 2006-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1909109A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 洪建中;高明哲;李元仁;王连昌 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于写入磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置的存储器单元的方法连续包括：在第一方向提供第一磁场；在大体上与所述第一方向正交的第二方向提供第二磁场；关闭所述第一磁场；在与所述第一方向相反的第三方向提供第三磁场；关闭所述第二磁场；和关闭所述第三磁场。一种用于转换MRAM存储器单元中的磁矩的方法包括：在与偏压磁场的方向形成钝角的方向提供磁场。一种用于读取MRAM装置的方法包括：部分地转换参照存储器单元中的磁矩以产生参照电流；测量通过待读取的存储器单元的读取电流；和比较所述读取电流与所述参照电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转换 电流 磁阻 随机存取存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于写入磁阻式随机存取存储器装置的存储器单元的方法，其特征是包含：在第一方向提供第一磁场；在第二方向提供第二磁场，所述第二方向大体上与所述第一方向正交；关闭所述第一磁场；在第三方向提供第三磁场，所述第三方向与所述第一方向相反；关闭所述第二磁场；和关闭所述第三磁场。
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