[发明专利]制造发光装置的方法无效
| 申请号： | 200610058845.1 | 申请日： | 2002-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1835255A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1－xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1－xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1－xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双异质结构的发光层部分含有源层与包层的发光装置，其中有源层由含II族元素Zn和含与VI族元素Se或Te一起的O的II-VI族化合物半导体组成，包层由MgxZn1-xO型(0≤x≤1)氧化物组成。
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