[发明专利]非易失性存储元件的制造方法无效
| 申请号： | 200610058920.4 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1832119A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 真壁昌里子;长谷川英司 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造非易失性存储元件的方法。该方法改变共聚绝缘膜的膜性质，同时防止产生阱位置。在硅衬底112表面附近的沟道形成区上设置浮置栅101，设置共聚绝缘膜134使其与浮置栅101相接触，以及设置控制栅103使其与共聚绝缘膜134相接触并且使其与至少一部分浮置栅101相对。设置共聚绝缘膜134的工艺步骤进一步包括，在浮置栅101上形成共聚绝缘膜134使其与浮置栅101相接触的步骤，和在形成共聚绝缘膜134之后，将共聚绝缘膜134暴露到包含含氮的气体和氧的氛围中，以由此同时地进行共聚绝缘膜134的氮化和氧化的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造非易失性存储元件的方法，包括：在半导体衬底表面附近的沟道形成区上设置浮置栅；设置绝缘膜与所述浮置栅相接触；以及设置控制栅，使其与所述绝缘膜相接触且使其与所述浮置栅的至少一部分相对；其中所述设置绝缘膜的步骤进一步包括：在所述半导体衬底上形成所述绝缘膜；以及在所述的形成绝缘膜的步骤之后，将所述绝缘膜暴露在包含含氮的气体和氧的氛围中，以由此同时地进行对所述绝缘膜的氮化和氧化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
