[发明专利]含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法有效
| 申请号： | 200610058935.0 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101033541A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘哲宏;郑博伦;庄慧伶;林俊安 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种含硅薄膜的形成方法，此方法是将衬底置于反应室，然后于反应室中导入一含硅气体，以进行化学气相沉积工艺，而于衬底上形成含硅薄膜，其中，至少控制反应室上内壁的温度低于50℃。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 减少 微粒 目的 | ||
【主权项】：
1.一种含硅薄膜的形成方法，该方法包括：将一衬底置于一反应室中；以及于该反应室中导入一含硅气体，以进行一化学气相沉积工艺，于该衬底上形成该含硅薄膜，其中，至少控制该反应室上内壁的温度低于50℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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