[发明专利]微移动器件及使用湿蚀刻的制造方法有效
| 申请号： | 200610058970.2 | 申请日： | 2006-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1835188A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 阮俊英;中谷忠司;岛内岳明;今井雅彦;上田知史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L29/84;H01H59/00;B81C1/00;B81B3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种微移动器件，包括：基础衬底；固定部，其与基础衬底接合；可移动部，其具有连接至固定部的固定端，并沿着基础衬底延伸；以及压电驱动部，其设置在可移动部和固定部与基础衬底相反的一侧上。压电驱动部具有由第一电极膜、第二电极膜以及位于第一和第二电极膜之间的压电膜构成的层叠结构，该第一电极膜与可移动部和固定部接触。可移动部和固定部中的至少一个设置有沿着压电驱动部延伸的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 移动 器件 使用 蚀刻 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿蚀刻方法，包括以下步骤：在目标结构中形成沿着保护对象延伸的沟槽；在该目标结构上形成覆盖该保护对象和沟槽的抗蚀刻剂保护膜，其中该保护膜的一部分延伸到该沟槽中；以及使用蚀刻剂对该目标结构进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
