[发明专利]半导体器件、显示设备和电子装置

摘要

当电阻负载反相器用于控制像素的发光/不发光时，随着形成电阻负载反相器的晶体管的性能变化，每个像素的发光也发生变化。作为像素中的反相器，N沟道晶体管和P沟道晶体管用于形成CMOS反相器。即使当形成CMOS反相器的晶体管性能变化并且反相器传输性能变化时，对控制像素的发光/不发光几乎没有影响，因此，可以消除每个像素的发光变化。而且，扫描线的信号电位用作反相器电位的一个电源，因此，可以提高像素的孔径比。

主权项

1、一种半导体器件，包括：包括栅极端、源极端和漏极端的第一晶体管；包括栅极端、源极端和漏极端的第二晶体管；包括栅极端、源极端和漏极端的第三晶体管；以及包括第一电极和第二电极的电容器，其中第一晶体管的栅极端连接到第一扫描线；其中第二晶体管的源极端或漏极端之一连接到电源线；其中第三晶体管的源极端或漏极端之一连接到第二扫描线；其中电容器的第一电极连接到第二晶体管的栅极端和第三晶体管的栅极端，该第二电极连接到信号线，其中第二晶体管的源极端或漏极端中的另一个以及第三晶体管的源极端或漏极端中的另一个连接到像素电极；其中第一晶体管的源极端或漏极端之一连接到第二晶体管的源极端或漏极端中的另一个以及第三晶体管的源极端或漏极端中的另一个；和其中第一晶体管的源极端或漏极端中的另一个连接到第二晶体管的栅极端和第三晶体管的栅极端。