[发明专利]多阈值互补金属氧化物半导体系统以及控制各模块的方法有效
| 申请号： | 200610059238.7 | 申请日： | 2006-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1822503A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 赵成勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948;H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种多阈值CMOS系统以及单个控制各个模块的状态的方法。每个模块包括具有逻辑晶体管的逻辑电路和连接在逻辑电路与电源线之间的控制晶体管，其中电源线连接在地和电源之一上。控制晶体管具有高于逻辑晶体管的阈值。通过为每个模块形成单个模块ON/OFF信号，响应该单个模块ON/OFF信号产生单个控制信号，将该单个控制信号提供到控制晶体管，以及根据该单个控制信号控制提供到在每个模块内的逻辑电路的电压来控制这些模块。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 互补 金属 氧化物 半导体 系统 以及 控制 模块 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制多个模块的方法，每个模块包括：具有逻辑晶体管的逻辑电路，和控制晶体管，其连接在逻辑电路和连接到电源线之间，该电源线连接到地和电源之一上，控制晶体管具有高于逻辑晶体管的阈值，该方法包括：产生用于每个模块的单个模块ON/OFF信号；响应该单个模块ON/OFF信号产生单个控制信号；将该单个控制信号提供给控制晶体管；以及根据该单个控制信号控制提供到在每个模块内逻辑电路的电压。
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