[发明专利]半导体复合装置、LED、LED打印头和成像装置有效
| 申请号： | 200610059402.4 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1835256A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦;武藤昌孝;猪狩友希;铃木贵人 | 申请（专利权）人： | 冲数据株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G03G15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李连涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体复合装置包括基板(2)和平坦化层(3)以及半导体薄膜(4)。平坦化层(3)直接或间接形成在基板上。所述平坦化层包括面对基板(2)的第一表面和在平坦化层(3)上远离基板(2)一侧上的第二表面。第二表面的平坦度小于第一表面。半导体薄膜(4)形成在平坦化层(3)上。第二表面的平坦度不超过5nm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 装置 led 打印头 成像 | ||
【主权项】：
1.半导体复合装置，包括：基板(2，22，2，22，22，110，132，110，110，110，110)；直接或间接地形成在所述基板上的平坦化层(3，25，42，25，25，115，134，115，153，153)，所述平坦化层包括面对所述基板(2，22，2，22，22，110，132，110，110，110，110)的第一表面和在所述平坦化层(3，25，42，25，25，115，134，115，153，153)上远离所述基板(2，22，2，22，22，110，132，110，110，110，110)一侧上的第二表面；和形成在所述平坦化层(3，25，42，25，25，115，134，115，153，153)上的半导体薄膜(4，28，4，28，28，116，135，116，154，154，154)。
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