[发明专利]晶体-取向陶瓷的制造方法以及陶瓷层压材料的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610059492.7 申请日: 2006-03-13
公开(公告)号: CN1830895A 公开(公告)日: 2006-09-13
发明(设计)人: 门谷成;岩濑昭夫 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;C04B35/622
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 于辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种晶体-取向陶瓷的制备方法,该方法包括片料制备步骤,结晶-促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤,制备生料片1。在结晶-促进层形成步骤,形成包含结晶-促进材料颗粒151的结晶-促进层15,以便其与生料片1接触。在煅烧步骤,对生料片进行煅烧。另外,本发明还提供-种陶瓷层压材料的制备方法,该方法包括层压材料-制备步骤和煅烧步骤。在层压材料-制备步骤,制备其中堆叠有生料片和电极-印刷层的层压材料。形成包含所述结晶-促进材料颗粒的结晶-促进层以便该促进层与生料片接触,所述结晶-促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤,对所述层压材料进行煅烧。
搜索关键词: 晶体 取向 陶瓷 制造 方法 以及 层压 材料
【主权项】:
1.一种晶体-取向陶瓷的制造方法,所述陶瓷由包含作为主要成分的钙钛矿结构(ABO3)的多晶物质组成,并且其中构成该多晶物质的每个晶粒的晶面是取向的,该方法包括:制造由压电材料组成的生料片的片料制备步骤,所述生料片通过煅烧形成所述钙钛矿结构的所述多晶物质,形成包含结晶-促进材料颗粒的结晶促进层以便其与所述生料片接触的结晶-促进层形成步骤,所述结晶-促进材料颗粒使得所述多晶物质中的晶粒能够在煅烧时生长,和通过对其上形成所述结晶-促进层的所述生料片进行煅烧制造所述晶体-取向陶瓷的煅烧步骤。
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