[发明专利]支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法有效
| 申请号： | 200610059513.5 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1855304A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄相元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 非易失性存储器阵列其中包括第一和第二块三态存储单元。这些第一和第二块被配置来分别作为第一和第二块物理存储单元独立运行，并且整体作为另一块虚拟存储单元运行。可以独立地读取第一和第二块存储单元和另一块虚拟存储单元来提供总共三块读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 支持 虚拟 存储 非易失性存储器 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：其中具有至少第一和第二块三态非易失性存储单元的存储器阵列，所述第一和第二块存储单元被配置来分别独立支持第一和第二数据块，并且进一步被配置来整体支持被编码到第一和第二数据块上的第三数据块。
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