[发明专利]溅射装置及溅射成膜方法有效
| 申请号： | 200610059588.3 | 申请日： | 2002-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1821438A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 志堂寺荣治;安藤英一;山田朋广;真下尚洋 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90％，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种转盘型溅射装置，所述转盘型溅射装置具有下述构造，即：在腔室内设置自由旋转的横截面为多边形或圆形的鼓，在该鼓的外周表面上设置多个基板保持架，在腔室壁的内侧配置多个磁控管溅射源，每个磁控管溅射源由靶及保持该靶的磁控管部分构成，所述靶利用所述磁控管部分保持，使其与所述鼓的转轴平行，所述溅射装置包括：在成膜中测量装在所述多个基板保持架之一上的基板上形成的膜的膜厚的膜厚测量装置；对各靶供给溅射所需要的功率的电源单元；以及利用所述膜厚测量装置得到的测量结果来控制影响成膜量的参数的控制装置。
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