[发明专利]溅射源和溅射装置有效

专利信息
申请号: 200610059671.0 申请日: 2006-03-17
公开(公告)号: CN1834285A 公开(公告)日: 2006-09-20
发明(设计)人: 根岸敏夫;伊藤正博 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张天安
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于不破坏有机薄膜表面地在其上形成溅射膜。在配置了靶(113a)的筒状侧壁(103)的开口中配置有粒子通路(130a),在其两侧配置有第1、第2捕集磁铁(121a、122a),在粒子通路(130a)中形成磁力线。在欲通过粒子通路(130a)的喷溅粒子中,只有中性粒子直行,因此,在成膜对象物的有机薄膜表面上形成溅射膜。由于带电粒子、电子因磁力线的作用而其飞行飞行弯曲,不会到达有机薄膜表面上,所以对有机薄膜的破坏较小。
搜索关键词: 溅射 装置
【主权项】:
1.一种溅射源,具有筒状侧壁,配置在所述筒状侧壁内、由所述筒状侧壁包围的靶,从所述靶放出的喷溅粒子从所述筒状侧壁一端的开口向所述筒状侧壁的外部放出,其特征是,具有磁力线形成部;通过所述磁力线形成部,在所述开口附近的所述喷溅粒子通过的位置上形成有磁力线;所述喷溅粒子中所包含的带电粒子在向所述筒状侧壁的外部放出时,其飞行方向因所述磁力线而弯曲。
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