[发明专利]掩膜及其制法、掩膜制造装置、发光材料的成膜方法有效
| 申请号： | 200610059705.6 | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1828410A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 中楯真 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种掩膜及其制造方法、制造装置、发光材料的成膜方法、电光学装置及电子仪器。本发明的掩膜的制造方法，具有：准备已形成开口的基体材料和形成了多个贯通孔的掩膜构件的工序；对应于上述开口，将上述掩膜构件与上述基体材料接合的工序；和管理上述掩膜构件与上述基体材料的接合温度的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制法 制造 装置 发光 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜的制造方法，其中，具有：准备已形成开口的基体材料和形成了多个贯通孔的掩膜构件的工序；对应于上述开口，将上述掩膜构件与上述基体材料接合的工序；和管理上述掩膜构件与上述基体材料的接合温度的工序。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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