[发明专利]梳齿电极对的制造方法有效
申请号: | 200610059745.0 | 申请日: | 2006-03-06 |
公开(公告)号: | CN1831579A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 高马悟觉;壶井修;曾根田弘光;上田知史 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08;H01L29/84;G01P15/125;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双;高龙鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供梳齿电极对的制造方法。该方法由材料衬底制造一对梳齿电极,该材料衬底包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层与第二导电层之间的绝缘层。该对梳齿电极包括第一梳齿电极和第二梳齿电极。第一梳齿电极包括由第一导电层得到的第一导体、由第二导电层得到的第二导体以及由绝缘层得到的绝缘体。第二梳齿电极由第二导电层得到。 | ||
搜索关键词: | 梳齿 电极 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由具有叠层结构的材料衬底制造一对梳齿电极的方法,该叠层结构包括第一导电层、第二导电层以及位于该第一导电层与该第二导电层之间的绝缘层,该对梳齿电极包括:第一梳齿电极,其具有叠层结构,该叠层结构包括由该第一导电层得到的第一导体、由该第二导电层得到的第二导体以及由该绝缘层得到的绝缘体;和第二梳齿电极,其由该第二导电层得到,该方法包括以下步骤:在该第一导电层上形成预备第一掩模图案;在该预备第一掩模图案和该第一导电层上形成第二掩模图案,该第二掩模图案包括在该预备第一掩模图案上形成的并用于第一梳齿电极的第一掩模部分,以及在该第一导电层上形成的并用于第二梳齿电极的第二掩模部分;进行第一蚀刻,经由该第二掩模图案蚀刻该预备第一掩模图案,以由该预备第一掩模图案形成该第一梳齿电极的第一掩模图案,该第一掩模图案包括第三掩模部分,该第三掩模部分被图案化为与该第二掩模图案的第一掩模部分的图案一致;进行第二蚀刻,经由该第一和第二掩模图案蚀刻该第一导电层,直至到达该绝缘层为止,以在该第一导电层中形成该第一导体和第一剩余掩模部分,其中该第一导体由该第一和第三掩模部分的叠层掩蔽,该第一剩余掩模部分由该第二掩模部分掩蔽;进行第三蚀刻,从该第一导电层一侧蚀刻该绝缘层,直至到达该第二导电层为止,以在该绝缘层中形成该绝缘体和第二剩余掩模部分,其中该绝缘体由该第一导体掩蔽,该第二剩余掩模部分由该第一剩余掩模部分掩蔽;去除该第二掩模图案;以及进行第四蚀刻,从该第一导电层一侧蚀刻该第二导电层,以去除该第一剩余掩模部分并在该第二导电层中形成该第二导体和该第二梳齿电极,该第二导体与该绝缘体接触,该第二梳齿电极由该第二剩余掩模部分掩蔽。
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