[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有：第一导电型的半导体基体；异质半导体区域，与上述半导体基体的一个主面相连接，其带隙与该半导体基体不同；栅电极，隔着栅绝缘膜形成在上述异质半导体区域和上述半导体基体的接合部；源电极，与上述异质半导体区域相连接；漏电极，与上述半导体基体欧姆连接；其特征在于，半导体装置的制造方法包含：使用具有规定开口的掩模层，在上述半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽的第一工序；至少与上述沟槽的侧壁相连接，且从该沟槽露出地形成埋入区域的第二工序；与上述半导体基体以及上述埋入区域相连接地形成异质半导体层的第三工序；对上述异质半导体层进行图案形成，形成上述异质半导体区域的第四工序。