[发明专利]肖特基二极管及制作方法有效
| 申请号： | 200610059868.4 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1841677A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈凌辉;布兰卡·艾斯特拉·克鲁斯;马克·杜斯金;约翰·D·莫兰 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种能够承受大于250伏的电压的肖特基二极管及其制作方法。N型导电性的外延层置于N型导电性的半导体衬底上。P型导电性的保护环从外延层表面延伸到其内部。在保护环的一部分和外延层的一部分上形成堆叠结构。堆叠结构包括置于一层介电材料上的一层半绝缘半导体材料。在外延层与堆叠结构的第一侧面相邻的部分上和堆叠结构的第一部分上形成第一金属层。在外延层与堆叠结构的第二侧面相邻的部分上和堆叠结构的第二部分上形成第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作具有至少250V击穿电压的肖特基二极管的方法，包括：提供具有主表面的半导体材料，该半导体材料为第一导电类型；在该半导体材料中形成第二导电类型的保护环，其中保护环从主表面延伸到半导体材料内；在保护环的一部分的上方形成一层半绝缘半导体材料；以及在主表面的一部分上形成导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
