[发明专利]电子器件、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610059905.1 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1819273A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;王景朝 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成于具有绝缘表面的衬底上方的栅电极；覆盖栅电极的栅绝缘膜；第一半导体层，包括形成于栅绝缘膜上方的沟道；第二半导体层，包括形成于第一半导体层上方的n型或p型导电性的杂质元素；以及形成于第二半导体层上方的源极布线和漏极布线，其中源极布线与第一半导体层交叉并且交叠，以及其中与源极布线和漏极布线之间的区域交叠的第一半导体层的部分是沟道。
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