[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法无效
| 申请号： | 200610060013.3 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043025A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 傅健忠 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管基板的制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上形成栅极；在该绝缘基底与栅极上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层和一源/漏极金属层；在一道光罩制程中，对该源/漏极金属层、半导体层曝光、显影及蚀刻而形成一源极、漏极和一沟槽；在该栅极绝缘层、源极、漏极和沟槽上依序形成一钝化层和一光阻层；对该光阻层和该钝化层曝光、显影及蚀刻而形成一光阻图案和一钝化层图案；在该光阻图案、漏极与栅极绝缘层上沉积一透明导电金属层，并且移除该光阻图案形成像素电极。本发明的制造方法可节省二道光罩制程，因此简化制程，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上沉积一栅极金属层；在第一道光罩制程中，曝光、显影及蚀刻形成预定图案的栅极；在该绝缘基底与栅极上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一源/漏极金属层；在第二道光罩制程中，对该源/漏极金属层、半导体层曝光、显影及蚀刻以形成一源极、漏极及一沟槽；在该栅极绝缘层、源极、漏极及沟槽上依序形成一钝化层及一光阻层；对该光阻层及该钝化层曝光、显影及蚀刻以形成一光阻图案及一钝化层图案；于该光阻图案、漏极与栅极绝缘层上沉积一透明导电金属层，并移除该光阻图案形成像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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