[发明专利]碳纳米管场发射电子源及其制造方法有效
| 申请号： | 200610060236.X | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101051596A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 魏巍;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/06 | 分类号： | H01J37/06;H01J9/02;C01B31/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该表面修饰层至少形成于该碳纳米管向外延伸的一端的表面，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的逸出功，本发明还涉及一种制造上述碳纳米管场发射电子源的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发射 电子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体和至少一碳纳米管，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，其特征在于，进一步包括一表面修饰层至少形成于该碳纳米管向外延伸的一端的表面，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的逸出功。
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