[发明专利]碳纳米管膜的生长装置及方法在审
| 申请号： | 200610061239.5 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101092234A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管膜的生长装置，其包括一反应室及一基底，该基底呈弯曲状设置于反应室内。本发明同时提供一种利用上述装置生长碳纳米管膜的方法。本发明所提供的碳纳米管膜的生长技术，与现有技术相比，采用弯曲状基底作为碳纳米管膜生长的载体，使得一定容量空间的反应室内可容纳更大面积的基底，从而实现碳纳米管膜在较小反应室内的大面积生长，这样可降低大面积的制备碳纳米管膜所需设备的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管膜的生长装置，其包括一反应室，一基底设置于该反应室内，其特征在于，该基底呈弯曲状设置于反应室内。
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