[发明专利]场发射阴极及其制造方法有效
| 申请号： | 200610061573.0 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101101839A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 郑直;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射阴极，包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米～200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列，其中，金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层，该铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米。本发明还涉及一种上述场发射阴极的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极，包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米～200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列，其特征在于，所述的金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层，所述的铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米。
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