[发明专利]逸出功的测量方法在审
| 申请号： | 200610061641.3 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101105488A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 魏巍;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01N23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种逸出功的测量方法，其包括以下步骤：提供一个碳纳米管场发射电子源作为阴极和一个与该阴极相隔预定距离设置的阳极；在真空环境下施加电压于该场发射电子源并测量其场发射电流-电压曲线；在该碳纳米管场发射电子源的碳纳米管表面形成一层待测逸出功的场发射材料；在与上述距离相同的条件下测量形成有待测场发射材料层的碳纳米管场发射电子源的电流-电压曲线；根据福勒-诺德汉方程，依据测得的电流-电压曲线图可得到场发射电子源发射电子的福勒-诺德汉曲线示意图，并进一步得到待测场发射材料的逸出功。 | ||
| 搜索关键词： | 逸出功 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种逸出功的测量方法，其包括以下步骤：提供一个碳纳米管场发射电子源作为阴极和一个与该阴极相隔预定距离设置的阳极；在真空环境下施加电压于该场发射电子源并测量其场发射电流一电压曲线；在该碳纳米管场发射电子源的碳纳米管表面形成一层待测逸出功的场发射材料；在与上述距离相同的条件下测量形成有待测场发射材料层的碳纳米管场发射电子源的电流-电压曲线；根据福勒-诺德汉方程，依据测得的电流-电压曲线图可得到场发射电子源发射电子的福勒-诺德汉曲线示意图，并进一步得到待测场发射材料的逸出功。
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