[发明专利]场发射阴极的制造方法

摘要

一种场发射阴极的制造方法，包括：提供在基底上生长的碳纳米管阵列；配置聚甲基丙烯酸甲酯半聚合溶液；将半聚合溶液倒入装有碳纳米管阵列的容器内，放置30分钟以上；将容器固定在转速为每分钟200～600转的旋转台上旋转，去除覆盖在碳纳米管阵列上端部的聚甲基丙烯酸甲酯聚合材料，从而形成初步聚合的薄膜；将初步聚合的薄膜加热至50℃～60℃继续聚合1小时～4小时，再加热至90℃～100℃形成完全聚合的碳纳米管－聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；以及将完全聚合的薄膜于水中浸泡约5分钟以上，该薄膜从基底上脱落，将其放置在导电电极上从而形成场发射阴极。

主权项

1.一种场发射阴极的制造方法，包括：提供在基底上生长的碳纳米管阵列；配置聚甲基丙烯酸甲酯半聚合溶液；将制成的半聚合溶液倒入装有碳纳米管阵列的容器内，放置30分钟以上使该半聚合溶液充分填充碳纳米管阵列的间隙；将覆盖有聚甲基丙烯酸甲酯的碳纳米管阵列固定在旋转台上，以每分钟200～600转的速度使旋转台旋转，在离心力的作用下去除覆盖在碳纳米管阵列上端部的聚甲基丙烯酸甲酯聚合材料，从而使碳纳米管阵列的上端部伸出聚甲基丙烯酸甲酯的上表面以形成初步聚合的薄膜；将初步聚合的薄膜加热至50℃～60℃继续聚合1小时～4小时，然后加热至90℃～100℃形成完全聚合的碳纳米管-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；以及将完全聚合的薄膜于水中浸泡约5分钟以上，碳纳米管-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜从基底上脱落，将薄膜放置在导电电极上从而形成场发射阴极。