[发明专利]三极型场发射像素管无效
| 申请号： | 200610061946.4 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118831A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨远超;魏洋;刘亮;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J31/15;H01J63/00;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J29/94 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三极型场发射像素管。该三极型场发射像素管包括一个中空壳体，一个荧光物质层，一个阳极层，一个阴极发射体和一个栅极体，该壳体具有一个出光部，该荧光物质层和阳极层依次形成在该出光部的内壁上，该阴极发射体设置在中空壳体内部与出光部相对的位置，该栅极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置，其中，该阴极发射体包括一个碳纳米管线，该碳纳米管线作为电子发射源。 | ||
| 搜索关键词： | 三极 发射 像素 | ||
【主权项】：
1.一种三极型场发射像素管，其包括：一个中空壳体，一个荧光物质层，一个阳极层，一个阴极发射体和一个栅极体，该壳体具有一个出光部，该荧光物质层和阳极层依次形成在该出光部的内壁上，该阴极发射体设置在中空壳体内部与出光部相对的位置，该栅极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置，其特征在于，该阴极发射体包括一个碳纳米管线，该碳纳米管线作为电子发射源。
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