[发明专利]合成的高汞化合物及其制备方法无效
申请号: | 200610062049.5 | 申请日: | 2006-08-11 |
公开(公告)号: | CN101121544A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 李大楠 | 申请(专利权)人: | 李大楠 |
主分类号: | C01G13/00 | 分类号: | C01G13/00;A61K33/28 |
代理公司: | 深圳市汇力通专利商标代理有限公司 | 代理人: | 茅秀彬 |
地址: | 518067广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 合成的高汞化合物制备方法,包括:将10~50份氯化汞和15~35份氧化汞与15~75份水混合,然后通过研磨使它们在充分细化混匀的接触过程中发生化合反应,再将反应后的悬浮液态物料的ph值调至6.0~7.5,静置,待生成的化合物晶体长成后,漂洗去渣,过滤,风干。该方法制得的合成的高汞化合物的分子结构式为Hg3O2Cl2,外观特征为黑色四棱柱体。其制备工艺简单实用,生产效率高,所得化合物纯度高、性质稳定,且因高汞化合物分子团含有三个汞原子而较普通汞化合物对癌细胞等具有更强的靶向攻击作用,是罕见的中医丹方核心原料—黑汞砂的理想替代产品。 | ||
搜索关键词: | 合成 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种合成的高汞化合物的制备方法,其特征是包括:以重量份计,将10~50份氯化汞和15~35份氧化汞与15~75份水混合,然后通过研磨使它们在充分细化混匀的接触过程中发生化合反应,添加水将反应后的悬浮液态物料的ph值调至6.0~7.5,静置,在常温常压下于水中生成高汞化合物晶体,过滤,风干,该高汞化合物的分子结构式为Hg3O2Cl2。
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